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YG858C12R中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

YG858C12R
廠商型號

YG858C12R

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

文件大小

268.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 12:04:00

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YG858C12R規(guī)格書詳情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    YG858C12R

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全稱:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Diode

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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