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FDD6670

N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD6670

30VN-ChannelMOSFET

Features ·RDS(ON)=8mW（VGS=10V） ·RDS(ON)=10mW（VGS=4.5V） ·Lowgatecharge ·FastSwitching ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·VDS(V)=-30V

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

FDD6670A

30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD6670A

N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD6670A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD6670A

30VN-ChannelMOSFET

Features ·RDS(ON)=8mW（VGS=10V） ·RDS(ON)=10mW（VGS=4.5V） ·Lowgatecharge ·FastSwitching ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·VDS(V)=-30V

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

FDD6670A

N-channelAdvancedModePowerMOSFET

Features ?VDS=40V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD6670AL

30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features ?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD6670AL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=84A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD6670AL

N-channelAdvancedModePowerMOSFET

Features ?VDS=40V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    XRP6670EVB

  • 制造商：

    MaxLinear, Inc.

  • 類別：

    開發(fā)板，套件，編程器 > 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS

  • 包裝：

    散裝

  • 主要用途：

    DC/DC，步降

  • 輸出和類型：

    1，非隔離

  • 電壓 - 輸出：

    3.3V

  • 電流 - 輸出：

    3A

  • 電壓 - 輸入：

    2.6V ~ 5.5V

  • 穩(wěn)壓器拓撲：

    降壓

  • 頻率 - 開關(guān)：

    1MHz

  • 板類型：

    完全填充

  • 所含物品：

    板

  • 使用的 IC/零件：

    XRP6670

  • 描述：

    BOARD EVAL FOR XRP6670

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多XRP6670EVB供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 10:19:00

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