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XR50P03F

-30V P-Ch MOSFET;

XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd.

新銳半導(dǎo)體深圳市新銳半導(dǎo)體科技有限公司

50P03

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

50P03L

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEB50P03

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEB50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=32m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=32m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CJAC50P03

P-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

EMB50P03G

P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package Type：

    PDFN5*6

  • Configuration：

    Single

  • MOSFET Type：

    P

  • VDS(V)：

    -30

  • VGS(V)：

    ±20

  • Vth typ.(V)：

    -1.5

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：

    8.7

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：

    17

  • ID (A)：

    -50

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NK/南科功率
2025+
PDFN5060-8L
986966
國(guó)產(chǎn)
 詢價(jià)
HOLLINGSWORTH
新
157
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
EXAR
23+
QFP
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
EXAR
11+
QFP
300
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
EXAR
11+
QFP
40
原裝
 詢價(jià)
EXAR/艾科嘉
24+
QFP
27950
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
EXAR/艾科嘉
2450+
QFP
8850
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
EXAR/艾科嘉
23+
QFP
3000
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
 詢價(jià)
EXAR
24+
QFP
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價(jià)
EXAR
22+23+
QFP
8000
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口
 詢價(jià)
更多XR50P03F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:01:00

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