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SCM40N120PS

1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET

Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

STGW40N120KD

40A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TRS40N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=108nC(typ.) (4)Lowreversecurr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TSG40N120

N-ChannelIGBTwithFRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSG40N120CE

N-ChannelIGBTwithFRD

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in：

    Yes

  • Vce(max)：

    1200

  • Ic(max)：

    40

  • Icpuls(max)：

    120

  • Short-Circuit(uS)：

    10

  • Tvj：

    -40~+ 175

  • VGE(th)(typ)：

    6.5

  • VCE(sat)(typ)：

    1.4

  • Vf：

    2.1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Xiner(芯能半導(dǎo)體)
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更多XNS40N120TH供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 17:43:00

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