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IGBT模塊; ? 低飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））;\n? 低開關(guān)損耗（Ets）;\n? 高擊穿電壓（BVces）;\n? 高短路電流耐量（Icsc）;\n? 電參數(shù)重復(fù)性與一致性；\n? 高可靠性。\n;

芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結(jié)構(gòu)的場(chǎng)截止技術(shù)（Trench Field Stop），溝槽元胞結(jié)構(gòu)大大增加器件的功率密度，通過(guò)超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場(chǎng)截止型（Field Stop）結(jié)構(gòu)，從而顯著降低器件的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff），對(duì)比上一代產(chǎn)品，器件功率損耗（導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗之和）降低了33%，配合搭載獨(dú)立的等電壓快速恢復(fù)二極管（FRD），適宜于各類開關(guān)應(yīng)用。模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品在嚴(yán)酷的環(huán)境下具有穩(wěn)定一致的電參數(shù)和牢固的可靠性。

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