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XC7SH08GW

Marking：fE；Package：SOT353-1；2-input AND gate

1.Generaldescription XC7SH08isahigh-speedSi-gateCMOSdevice.Itprovidesa2-inputANDfunction. 2.Features ?Symmetricaloutputimpedance ?Highnoiseimmunity ?Lowpowerdissipation ?CMOSinputlevels ?Balancedpropagationdelays ?ESDprotection: ?HBMJESD22-A114E:exceeds

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

XC7SH08GW

High-speed Si-gate CMOS device, 2-input AND function

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

XC7SH08GW,125

Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 門和反相器 描述：IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

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ELM7SH08MB-EL

HIGHSPEEDCMOSLOGICICELM7SH08xB2-inputANDgate

ELM-TECHELM Technology Corporation

榆木科技榆木科技股份公司

ELM7SH08TB-EL

HIGHSPEEDCMOSLOGICICELM7SH08xB2-inputANDgate

ELM-TECHELM Technology Corporation

榆木科技榆木科技股份公司

ELM7SH08XB

HIGHSPEEDCMOSLOGICIC2-inputANDgate

ELM-TECHELM Technology Corporation

榆木科技榆木科技股份公司

ELM7SH08XB

HIGHSPEEDCMOSLOGICIC

ELM

ELM Electronics

KIC7SH08FU

SILICONMONOLITHICCMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUIT(2-INPUTANDGATE)

TheKIC7S08FUisahighspeedC2MOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ItachieveshighspeedoperationsimilartoequivalentLSTTLwhilemaintainingtheC2MOSlowpowerdissipation.Theinternalcircuitiscomposedof2stagesincludingbufferoutput,whichenables

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

TC7SH08

2-INPUTANDGATE

Features ?Highspeedoperation:tpd=4.3ns(typ.)atVCC=5V,15pF ?Lowpowerdissipation:ICC=2μA(max)atTa=25°C ?Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) ?5.5-Vtolerantinputs ?Wideoperatingvoltagerange:VCC=2to5.5V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC7SH08F

2-INPUTANDGATE

Features ?Highspeedoperation:tpd=4.3ns(typ.)atVCC=5V,15pF ?Lowpowerdissipation:ICC=2μA(max)atTa=25°C ?Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) ?5.5-Vtolerantinputs ?Wideoperatingvoltagerange:VCC=2to5.5V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多XC7SH08GW供應商 更新時間2025-7-24 11:26:00

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