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NCE30P30K

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NCE30P30K

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30P30Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30P30L

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30P30Lusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis wellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

PJM30P30DI

P-ChannelPowerMOSFET

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    SMC

  • Peak Pulse Power Ppp(W)：

    3000

  • Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：

    30

  • MIN VBR (Volts)@IT：

    33.3

  • MAX VBR (Volts)@IT：

    36.8

  • Test Current IT(mA)：

    1.0

  • Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：

    48.4

  • Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：

    62

  • Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：

    2.0

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更多WS30P30SMC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 13:01:00

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