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CED30P10A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-29A,RDS(ON)=55mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. Switchedmode

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-27A,RDS(ON)=76mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=92mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-100V,-30A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=92mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU30P10A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-29A,RDS(ON)=55mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. Switchedmode

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

HM30P10K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

LMAK30P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMAK30P10K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMFB30P10K

LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NCE30P10S

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30P10Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

SK30P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

技術參數(shù)

  • Package：

    SMB

  • Peak Pulse Power Ppp(W)：

    1000

  • Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：

    30

  • MIN VBR (Volts)@IT：

    33.30

  • MAX VBR (Volts)@IT：

    36.80

  • Test Current IT(mA)：

    1.0

  • Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：

    48.4

  • Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：

    20.66

  • Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：

    1.0

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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