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WS2398AN

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器集成電路; ? 低啟動(dòng)電流（<5uA）\n? 低工作電流（正常2.0mA，待機(jī)0.5mA）\n? 待機(jī)功耗<75mw\n? 多模式工作（PFM、PWM、QR）\n? 電流模式工作\n? 優(yōu)化降頻與抖頻性能\n? Brown-in/ Brown-out 保護(hù)\n? 次邊肖特基短路保護(hù)\n? 高精度的外部可編程的輸出OVP 保護(hù)\n? 逐周期電流限制保護(hù)（OCP）\n? CS 開(kāi)路保護(hù)\n? 內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)（OTP）\n? 軟啟動(dòng)功能（Soft-start）\n? 內(nèi)置VCC 過(guò)壓保護(hù)和嵌位\n? 低電壓關(guān)閉功能（UVLO）\n? 寬的工作電壓范圍(8V-32V)\n? 柵驅(qū)動(dòng)輸出電壓嵌位（12V）\n? 軟驅(qū)動(dòng)功能（Soft-driver）\n? 頻率抖動(dòng)功能\n? 恒定輸出功率限制\n? 過(guò)載保護(hù)（OLP）\n\n;

WS2398AN 是一款高集成度、高性能的電流模式PWM 轉(zhuǎn)換器芯片，適用于電源適配器等中小功率的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備。為了降低待機(jī)功耗，滿足更高的綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，芯片提供了脈沖模式（Burst Mode）功能、極低的啟動(dòng)電流和工作電流。脈沖模式即在輕載或者無(wú)負(fù)載情況下，WS2398AN 可以線性地降低芯片的開(kāi)關(guān)頻率，因此減少開(kāi)關(guān)的損耗，使得WS2398AN可以輕易實(shí)現(xiàn)低于75mw 的待機(jī)功耗；準(zhǔn)諧振的工作模式使效率能輕松達(dá)到能效六的要求。\n\nWS2398AN 優(yōu)化了降頻與抖頻的關(guān)系曲線，在頻率降低時(shí)，抖頻范圍不會(huì)隨頻率等比例降低，從而使得系統(tǒng)在中、輕載時(shí)EMI 得以有較大改善。此外WS2398AN 具有極寬的工作電壓范圍(8V-32V)，大大方便了變壓器的設(shè)計(jì)和系統(tǒng)的兼容性。\n\nWS2398AN 內(nèi)置的同步斜坡補(bǔ)償電路，防止PWM 控制器在高占空比工作時(shí)候可能產(chǎn)生的諧波振蕩。WS2398AN 在電流采樣輸入引腳端內(nèi)置了前沿消隱功能，能有效去除電流反饋信號(hào)中的毛刺，有助于減少外部元器件數(shù)量，降低系統(tǒng)的整體成本。\n\nWS2398AN 提供了多種全面的可恢復(fù)保護(hù)模式，其中包括：逐周期電流限制保護(hù)（OCP）、過(guò)載保護(hù)（OLP）、過(guò)溫保護(hù)（OTP）、VDD 電壓的過(guò)壓保護(hù)和嵌位、以及低壓關(guān)閉（UVLO）、次邊肖特基短路保護(hù)；高精度外部可編程OVP 保護(hù)；為了更好的保護(hù)外部MOSFET 功率管，柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓被嵌位在12V。\n\nWS2398AN在圖騰柱柵極驅(qū)動(dòng)輸出端使用了頻率抖動(dòng)技術(shù)和軟開(kāi)關(guān)控制技術(shù)，可以很好的改善開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的EMI性能。通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，當(dāng)芯片的工作頻率低于22KHz的情況下，音頻能量可以降到最小值。因此，音頻噪聲性能可以獲得很大的改善。\n\nWS2398AN芯片可以作為線性電源或者RCC模式電源的替代產(chǎn)品，從而提高開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的整體性能，并有效地降低系統(tǒng)成本。\n\nWS2398AN 提供7-Pin 的DIP-7 的封裝形式，滿足濕敏等級(jí)4（ MSL4 ） ， 具體使用及存儲(chǔ)環(huán)境請(qǐng)參考IPC/JEDECJ-STD-033D。\n\n

2398

SizeAAluminumBoxWithCoverSMAMale/SMAFemale

ACE2398M

N-Channel60-VMOSFET

AM2398N

N-Channel60V(D-S)MOSFET

AM2398NE

N-Channel60V(D-S)MOSFET

D2398

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DC2398A

36VFully-DifferentialProgrammable-GainInstrumentationAmplifierwith25pAInputBiasCurrent

FEATURES ?Pin-ProgrammableGains: ?G=0.25,0.5,1,2,4,8,16V/V+Shutdown ?FullyDifferentialOutputs ?GainError:0.015%(Max) ?GainErrorDrift:1ppm/°C(Max) ?CMRR:103dB(Min),G=16 ?InputBiasCurrent:25pA(Max) ?InputOffsetVoltage:92μV(Max),G=16 ?Inp

ECLAMP2398P

ESD/EMIProtectionforColorLCDInterfaces

ECLAMP2398P.TCT

ESD/EMIProtectionforColorLCDInterfaces

NTE2398

MOSFETN-Ch,EnhancementModeHighSpeedSwitch

Features: ?Dynamicdv/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements