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F1129MB

50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

F1129MBEVB

50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

F1129MBNELI

50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

GP1129

U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

HAT1129R

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

HTT1129E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HTT1129EZTL-E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISF1129

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LT1129

LowDropoutNegativeMicropowerRegulatorinThinSOT

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1129

400mVDropoutVoltage

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • VBR（V）Min：

    3.7

  • Cj（PF）：

    12(TYP) 20(MAX)

  • Ipp（A）：

    11

  • Vc（V）@Ipp：

    8(TYP) 10(MAX)

  • IR（μA）Max：

    0.2

  • PPP（W）：

    110

  • MPQ(pcs)：

    15000

  • Package：

    CSP0402-2L

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Essentra
22+
NA
168
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IC
23+
QFP
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
WEIDMULLER/魏德米勒
2502+
ROHS
360
優(yōu)勢代理渠道 原裝現(xiàn)貨 可全系列訂貨
 詢價(jià)
Marki
206
詢價(jià)
Marki microwave
24+
N/A
4500
Marki優(yōu)勢渠道
 詢價(jià)
CYG
24+
SMB
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
德國ASM
2447
N
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價(jià)
M
24+
365
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
M
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢
 詢價(jià)
WS
24+
BGA
598000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
更多WS1129EW供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:13:00

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