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WMS30N050V

LV N MOSFETs; ? Advance High Cell Density Trench Technology\n? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n? Low Capacitance to Minimize Switching Losses\n? Optimized Gate Charge to Minimize Driver Losses\n? 100% UIS Tested\n? RoHS Compliant, Halogen Free\n;

WeEnWeEn Semiconductors

瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

WMS30N050S

N-ChannelSiliconMOSFET

Generaldescription WMS30N050Sisahighperformance logiclevelN-channelMOSFETinTO252 package,whichutilizesadvancedTrench MOSFETtechnologytoprovidelowRDS(on) andgatecharge.Itisdesignedandqualified inawiderangeofindustrialandconsumer applications. Featuresand

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • VDS (V)：

    30

  • VGS (±V)：

    20

  • ID(A)@ 25℃：

    45

  • RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 10V：

    5

  • RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 4.5V：

    8

  • QG(tot) (nC)：

    44

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多WMS30N050V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:01:00

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