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WMP04N80C2

Power MOSFET-Super Junction MOSFET 800V;

采用先進的超結技術和優(yōu)化的設計結構，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列產(chǎn)品具有極低的特征導通電阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)較C1系列降低38%，有助于提升開關電源的效率及功率密度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列產(chǎn)品具有更好的性價比。

WayonWayon Electronics Co.,Ltd.

維安上海維安電子有限公司

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