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WMM11N80C2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET-Super Junction MOSFET 800V; 采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列產(chǎn)品具有極低的特征導(dǎo)通電阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)較C1系列降低38%，有助于提升開關(guān)電源的效率及功率密度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列產(chǎn)品具有更好的性價(jià)比。	WayonWayon Electronics Co.,Ltd. 維安上海維安電子有限公司	Wayon

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Power MOSFET-Super Junction MOSFET 800V;

采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列產(chǎn)品具有極低的特征導(dǎo)通電阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)較C1系列降低38%，有助于提升開關(guān)電源的效率及功率密度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列產(chǎn)品具有更好的性價(jià)比。

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更多WMM11N80C2供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-28 17:09:00

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