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WMF04N60C2

N-Channel SJ-MOS C2;

采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，新一代Wayon WMOSTM C2 系列產(chǎn)品具有極低的特征導(dǎo)通電阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)較C1系列降低38%，有助于提升開關(guān)電源的效率及功率密度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-900V WMOSTM C2系列產(chǎn)品具有更好的性價(jià)比。

WayonWayon Electronics Co.,Ltd.

維安上海維安電子有限公司

04N60C2

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

04N60C2

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPA04N60C2

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPA04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB04N60C2

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPB04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvednoiseimmunity

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPN04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inSOT223 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvednoiseimmunity

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    SOT-223-2L

  • VDS(V)：

    600

  • RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.)：

    2

  • ID (A)@TA=25℃：

    3

  • PD (W)@TA=25℃：

    4.6

  • Qg (nC)：

    6.7

  • VGS (V)：

    30

  • VGS(th)(V) (Typ.)：

    3.3

  • Product Status：

    MP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
CYGWAYON/長園維安
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SOT-223-2L
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更多WMF04N60C2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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