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WG50N65DHW數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

WG50N65DHW

參數(shù)屬性

WG50N65DHW 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

功能描述

650V絕緣柵雙極型晶體管
IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名稱

瑞能半導(dǎo)體 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-1 10:20:00

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WG50N65DHW規(guī)格書詳情

描述 Description

High speed IGBT with anti-parallel diode in TO247 package.

特性 Features

? Fast speed with low switching losses
? Fast and soft recovery anti-parallel diode
? Positive VCE(sat) temperature coefficient
? Trench gate field-stop technology
? Halogen Free package and Pb-free lead finish, RoHS compliant
? Low thermal resistance
? Qualified according to JEDEC, Meets UL94V0 Flammability requirement

應(yīng)用 Application

? Power Factor Correction
? Welding Converter
? Solar Inverter
? Industrial Inverter
? UPS

簡(jiǎn)介

WG50N65DHW屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的WG50N65DHW晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :WG50N65DHW

  • 生產(chǎn)廠家

    :WeEn

  • Free Wheeling diode

    :YES

  • VCE(max)(V)

    :650

  • IC(max)@100℃(A)

    :50

  • IC(max)@25℃(A)

    :91

  • IF(max)@100℃(A)

    :50

  • IF(max)@25℃(A)

    :100

  • VCE(sat)typ.@25℃(V)

    :1.65

  • VF typ.@25℃(V)

    :1.7

  • VGE(th)Typ.(V)

    :5

  • Qg@25℃(nC)

    :160

  • Eon@25℃(mJ)

    :1.7

  • Eoff@25℃(mJ)

    :0.6

  • Qr typ. @25℃(nC)

    :570

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
24+
三極
225
本站現(xiàn)庫(kù)存
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