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VT10202C-M3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3SLASH4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,and

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3/4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3/4W

Package：TO-220-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VBT10202C-M3

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VBT10202C-M3

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VIT10202C-M3

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DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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更多VT10202C-M3供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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