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VSO008N10MS數(shù)據(jù)手冊Vergiga中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

VSO008N10MS

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名稱

威兆半導(dǎo)體 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 17:22:00

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VSO008N10MS規(guī)格書詳情

描述 Description

N溝道增強型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技術(shù)制造,具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗以及優(yōu)越的開關(guān)性能。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于快充等領(lǐng)域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技術(shù)
2.極低的Qg
3.更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
4.100%雪崩測試
5.無鉛電鍍;符合 RoHS 標準

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :VSO008N10MS

  • 生產(chǎn)廠家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :100.00

  • BVGS[V]

    :20.00

  • Vth[V]_min

    :2.50

  • Vth[V]_max

    :3.80

  • ID[A]

    :17.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@10V

    :6.40

  • RDS (on) Typ[Ω]@4.5V

    :10.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@2.5V

    :-

  • RDS (on) Typ[Ω]@1.8V

    :-

  • Ciss

    :2600.00

  • Coss

    :1060.00

  • Crss

    :35.00

  • Package

    :SOP8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
威兆/VS
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