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VSA030C03LD數(shù)據(jù)手冊(cè)Vergiga中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

VSA030C03LD

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名稱

威兆半導(dǎo)體 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 16:01:00

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VSA030C03LD規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET采用Trench工藝針對(duì)更低Rds(on)和更高載流能力進(jìn)行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用,如負(fù)載開(kāi)關(guān)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等。

特性 Features

1.N+P增強(qiáng)型MOSFET
2.較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
3.雪崩能力強(qiáng)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :VSA030C03LD

  • 生產(chǎn)廠家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :30.00

  • bVGS[V]

    :12.00

  • vth_min

    :0.50

  • vth_max

    :1.20

  • ID[A]

    :6.00

  • PD[W]

    :2.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :31.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :33.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :40.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :665.00

  • Coss

    :55.00

  • Crss

    :45.00

  • Qg(10V)[nC]

    :8.20

  • Qg(4.5V)[nC]

    :0.00

  • Package

    :DFN2x3-8L

  • Technology

    :Trench MOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
24+
SOP
2000
詢價(jià)
VANGUARD/威兆
24+
DFN2x3-8L
100000
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
NK/南科功率
2025+
SOT-723
986966
國(guó)產(chǎn)
詢價(jià)
VANGUARD/威兆
2511
DFN2x3-8L
360000
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)
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23+
SMD
11200
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18
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原裝+實(shí)力庫(kù)存+當(dāng)天發(fā)貨
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