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VS2N7002K數(shù)據(jù)手冊(cè)Vergiga中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

VS2N7002K

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名稱

威兆半導(dǎo)體 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 18:01:00

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VS2N7002K規(guī)格書詳情

描述 Description

N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET采用Trench工藝針對(duì)更低Rds(on)和更高載流能力進(jìn)行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用,如信號(hào)開關(guān)等。

特性 Features

1.較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
2.雪崩能力強(qiáng)
3.100%雪崩測(cè)試

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :VS2N7002K

  • 生產(chǎn)廠家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :60.00

  • bVGS[V]

    :16.00

  • vth_min

    :1.00

  • vth_max

    :2.50

  • ID[A]

    :0.76

  • PD[W]

    :1.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :1000.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :1100.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :26.00

  • Coss

    :11.00

  • Crss

    :7.00

  • Qg(10V)[nC]

    :1.43

  • Qg(4.5V)[nC]

    :0.70

  • Package

    :SOT23

  • Technology

    :Trench MOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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