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VS-GT100TP120N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
VS-GT100TP120N |
| 參數(shù)屬性 | VS-GT100TP120N 封裝/外殼為INT-A-PAK（3 + 4）；包裝為盒；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK |
| 功能描述 | Half Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 A |
| 封裝外殼 | INT-A-PAK（3 + 4） |
| 文件大小 |
189.34 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 19:00:00 |
| 人工找貨 | VS-GT100TP120N價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
VS-GT100TP120N
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
盒
- IGBT 類型：
溝道
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，100A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無(wú)
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
INT-A-PAK（3 + 4）
- 供應(yīng)商器件封裝：
INT-A-PAK
- 描述：
IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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