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VS-C4PH6006LHN3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VS-C4PH6006LHN3_V01
廠商型號

VS-C4PH6006LHN3_V01

功能描述

Hyperfast Soft Recovery Diode, 2 x 30 A FRED Pt? Gen 4

文件大小

169.24 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-7 20:00:00

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VS-C4PH6006LHN3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Gen 4 FRED Pt? technology

? Low IRRM and reverse recovery charge

? Very low forward voltage drop

? Polyimide passivated chip for high reliability

standard

? 175 °C operating junction temperature

? AEC-Q101 qualified, meets JESD 201 class 1

whisker test

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

Gen 4 Fred Pt technology, state of the art, ultralow VF, soft

switching optimized for Discontinuous (Critical) Mode (DCM)

and IGBT F/W diode.?

The minimized conduction loss, optimized stored charge

and low recovery current minimized the switching losses

and reduce over dissipation in the switching element and

snubbers.

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