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首頁(yè)>VS-8EWS16S-M3>規(guī)格書(shū)詳情

VS-8EWS16S-M3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

VS-8EWS16S-M3
廠商型號(hào)

VS-8EWS16S-M3

參數(shù)屬性

VS-8EWS16S-M3 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252

功能描述

High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 8 A

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

172.44 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱(chēng)

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 16:01:00

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VS-8EWS16S-M3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Glass passivated pellet chip junction

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Input rectification

? Vishay Semiconductors switches and output rectifiers

which are available in identical package outlines

DESCRIPTION

The VS-8EWS16S-M3 rectifier high voltage series has been

optimized for very low forward voltage drop, with moderate

leakage. The glass passivation technology used has reliable

operation up to 150 °C junction temperature.

The high reverse voltage range available allows design of

input stage primary rectification with outstanding voltage

surge capability.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VS-8EWS16S-M3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 二極管類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252,(D-Pak)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
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