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VS-1N2129A

Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A

FEATURES ?Lowleakagecurrentseries ?Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-1N2129A

Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A; Low leakage current series\nGood surge current capability up to 1000 A;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-1N2129A

Package：DO-203AB，DO-5，接線柱；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 100V 60A DO203AB

ETC

ETC

1N2129

SILICONPOWERRECTIFIER

SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalSealConstruction ●GlassPassivatedDie ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N2129

STUDMOUNTEDSIKCONPOWERRECTIFIERS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

1N2129A

PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-1N2129A

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    60A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AB，DO-5，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-203AB（DO-5）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 60A DO203AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VS-1N2129A供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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