VRF157FL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
VRF157FL |
| 參數(shù)屬性 | VRF157FL 封裝/外殼為T2；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 |
| 功能描述 | RF POWER VERTICAL MOSFET |
| 封裝外殼 | T2 |
| 文件大小 |
120.31 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-4 15:20:00 |
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VRF157FL規(guī)格書詳情
RF POWER VERTICAL MOSFET
The VRF157FL is a gold-metallized silicon n-channel RF power transistor designed for broadband commercial and military applications requiring high power and gain without compromising reliability, ruggedness, or intermodulation distortion.
FEATURES
? Improved Ruggedness V(BR)DSS = 170V
? 600W with 21dB Typical Gain @ 30MHz, 50V
? Excellent Stability & Low IMD
? Common Source Configuration
? Available in Matched Pairs
? Nitride Passivated
? Economical Flangeless Package
? Refractory Gold Metallization
? High Voltage Replacement for MRF157
? RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
VRF157FL
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
N 通道
- 頻率：
80MHz
- 增益：
21dB
- 額定電流（安培）：
4mA
- 功率 - 輸出：
600W
- 封裝/外殼：
T2
- 供應(yīng)商器件封裝：
T2
- 描述：
MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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