VP2206N2中文資料SUTEX數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
VP2206N2 |
| 功能描述 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 文件大小 |
459.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | SUTEX |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 22:30:00 |
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Advanced DMOS Technology
These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
特性 Features
? Free from secondary breakdown
? Low power drive requirement
? Ease of paralleling
? Low CISS and fast switching speeds
? Excellent thermal stability
? Integral Source-Drain diode
? High input impedance and high gain
? Complementary N- and P-channel devices
Applications
? Motor controls
? Converters
? Amplifiers
? Switches
? Power supply circuits
? Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories, displays, bipolar transistors, etc.)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
VP2206N2
- 功能描述：
MOSFET 60V 0.9Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI |
24+ |
CAN |
80000 |
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詢價(jià) | ||
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24+ |
NA/ |
3550 |
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詢價(jià) | ||
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06+ |
TO-92 |
512 |
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詢價(jià) | ||
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MICROCHIP/微芯 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
TO-92 |
300 |
詢價(jià) | |||
SUPERTEX |
24+ |
TO-39 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
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詢價(jià) |
