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VI40100G-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100G-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100G-E3/4W

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262

ETC

ETC

V40100G-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.42VatIF=5A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V40100G-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VB40100G-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40100G-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.42VatIF=5A

VishayVishay Siliconix

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VF40100G-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40100G-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.42VatIF=5A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VI40100G-E3/4W

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 系列：

    TMBS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管配置：

    1 對(duì)共陰極

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    20A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262AA

  • 描述：

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Vishay/GeneralSemiconduc
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更多VI40100G-E3/4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 10:20:00

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