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VI20120SG-E3-4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VI20120SG-E3-4W
廠商型號(hào)

VI20120SG-E3-4W

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

160.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-2 13:48:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VI20120SG-E3-4W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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