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VI20120C-E3分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列規(guī)格書PDF中文資料

VI20120C-E3
廠商型號

VI20120C-E3

參數(shù)屬性

VI20120C-E3 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列;產(chǎn)品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封裝外殼

TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

161.84 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 10:39:00

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VI20120C-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

? Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

?? For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    VI20120C-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管配置:

    1 對共陰極

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    10A

  • 速度:

    快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作溫度 - 結:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-262AA

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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