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VFT2060C-E3

Low forward voltage drop, low power losses

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT2060C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT2060C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A; Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT2060C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT2060C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT2060C-E3/4W

Package:TO-220-3 全封裝,隔離接片;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    VFT2060C-E3

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 功能描述:

    20A,60V, DUAL TRENCH SKY RECT.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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TO220F-3
38560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-220AB
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-220-3 全封裝 隔離接片
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更多VFT2060C-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00