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VF30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30200C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30200C

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A; Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30200C-E3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30200C-E3/4W

Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VF30200C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
中性
23+
TO220F-3
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
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NA/
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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VISHAY/威世
24+
TO-220F
60000
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TO-220
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VISHAY/威世
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
ITO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
原廠原包
24+
原裝
38560
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同
 詢價
更多VF30200C供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 11:00:00

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