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VF30100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3

Trench MOS Schottky technology

UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbatht

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Lowthermalresistance ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

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VF30100C-E3/4W

Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VF30100C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
NOV
23+
No
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
2022+
TO-220
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
VISHAY/威世通
23+
TO-220
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
VISHAY/威世
24+
NA/
3500
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
VISHAY/威世
2022+
TO-220F
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
 詢價
VISHAY
25+
TO-TO-220
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
VISHAY
17+
TO220F-3
6200
詢價
VISHAY
25+23+
TO-220F
27183
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
更多VF30100C供應商 更新時間2025-7-24 14:03:00

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