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VB40100G-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB40120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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VB40120C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB40120C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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VB40120C-E3SLASH4W

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VB40120C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • 端口數(shù)量:

    1

  • 頻率-最大值:

    4GHz

  • 射頻系列:

    BNC

  • 阻抗:

    50Ω

  • 工作溫度范圍:

    -65℃~+165℃

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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D2-PAK(TO-263)
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更多VB40供應(yīng)商 更新時間2025-7-26 14:30:00