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VB3222A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

GeneralDescription TheVB3222Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.ASchottkydiodeis providedtofacilitatetheimplementationofabidirectional blockingswitch,orforDC-DCconversionapplications. Features VDS(V)=20V ID=6.0A(VGS

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBA3222

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBA3222

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBBD3222

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableApplications ?DC/DCConverters

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DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

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WS3222D

Over-Voltage-ProtectionLoadSwitchwithAdjustableOVLOthreshold

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai

韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

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更多VB3222A供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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