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VB30M120C數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列規(guī)格書PDF

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廠商型號

VB30M120C

參數(shù)屬性

VB30M120C 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-263AB

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-10 16:26:00

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VB30M120C規(guī)格書詳情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

應(yīng)用 Application

For use in solar cell junction box as a bypass diode for protection, using DC forward current without reverse bias.

技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號:

    VB30M120C-E3/8W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 系列:

    TMBS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管配置:

    1 對共陰極

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    15A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263AB(D2PAK)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-263AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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