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VB20200G	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G	文件：148.07 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G	文件：157.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G-E3	文件：215.23 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G-E3-4W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G-E3-8W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G-E3	文件：156.24 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB20200G-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20200G-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細參數(shù)

型號：
VB20200G
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	VB20200G-E3	VISHAY/威世	2447	TO-263	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市科雨電子有限公司	VB20200G-E3/4W	VISHAY	1809+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	VB20200GE3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	TO263AB	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	VB20200G-E3/8W	VISHY	23+	NA	11200	原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司	VB20200G-E3/4W	VISHAY	19+	TO-263AB	2950	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	VB20200G-E3	VISHAY/威世	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市科翼源電子有限公司	VB20200G-E3/4W	VISHAY	23+	TO-263AB	5420	原廠原裝正品	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	VB20200G-E3/4W	VISHAY/威世通	22+	TO263AB	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價

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