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VB20120C_TOSHIBA/東芝_Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A威爾健半導(dǎo)體

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  • 廠家型號：

    VB20120C

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    69820

  • 產(chǎn)品封裝：

    DIP-8

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-7-16 9:43:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：VB20120C品牌：TOSHIBA/東芝

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  • 芯片型號：

    VB20120C

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    167.06 kb

  • 資料說明：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    VB20120C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    何妮妮

  • 手機：

    18124040553

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82573210

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

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