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VB20200G-E3-4W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VB20200G-E3-8W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VB20202C	文件：207.93 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VB20202G	文件：164.81 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VB20M120C	文件：105.24 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VB20M120C_V01	文件：105.24 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VB20X26X4	文件：384.17 Kbytes Page：5 Pages	STANDARD SHAFT SEALS ?DESCRIPTION TheVBprofileisashaftsealcomposed ofasingleexternalmetalcagewith aninternalrubbercoatinganda primarysealinglipwithoutaspring. ?APPLICATIONS Alltypesofrotativeapplications Machinetools Agriculture Construction Transmission Gearboxes Motors Pum	FRANCEJOINT France Joint	FRANCEJOINT
VB20X28X4	文件：384.17 Kbytes Page：5 Pages	STANDARD SHAFT SEALS ?DESCRIPTION TheVBprofileisashaftsealcomposed ofasingleexternalmetalcagewith aninternalrubbercoatinganda primarysealinglipwithoutaspring. ?APPLICATIONS Alltypesofrotativeapplications Machinetools Agriculture Construction Transmission Gearboxes Motors Pum	FRANCEJOINT France Joint	FRANCEJOINT
VB2101K	文件：895.51 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?UltraLowOn-Resistance ?SmallSize APPLICATIONS ?ActiveClampCircuitsinDC/DCPowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VB2101K_V01	文件：895.51 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?UltraLowOn-Resistance ?SmallSize APPLICATIONS ?ActiveClampCircuitsinDC/DCPowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
VB2
功能描述：
肖特基二極管與整流器 20 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多VB2供應商更新時間2025-7-21 16:00:00

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