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VB10170C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

STPS10170C_V01

HighvoltagepowerSchottkyrectifier

Description ThisdualcentertabSchottkyrectifierissuitedfor highfrequencyswitchedmodepowersupplies. Features ?Highjunctiontemperaturecapability ?Goodtradeoffbetweenleakagecurrentand forwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Avalanchecapabilityspecified ?ECOPA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多VB10170C_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 14:02:00

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