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V60120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C/VB60120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A; Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n \n;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C_11

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V60120C-E3-4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    V60120C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V60120C供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 15:51:00

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