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V30K170-M3SLASHH中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
V30K170-M3SLASHH |
功能描述 | High Current Density Surface-Mount (TMBS?) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 5 A |
文件大小 |
158.73 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-6 16:43:00 |
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V30K170-M3SLASHH規(guī)格書詳情
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
? AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3