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V30DM120-M3SLASHI中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

V30DM120-M3SLASHI
廠商型號(hào)

V30DM120-M3SLASHI

功能描述

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

文件大小

124.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 19:37:00

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V30DM120-M3SLASHI規(guī)格書(shū)詳情

? Trench MOS Schottky technology generation 2

? Very low profile - typical height of 1.7 mm

? Ideal for automated placement

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
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