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V30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A; Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C/ VF30200C/ VB30200C/ VI30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A; ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation\n;

分立

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C/VF30200C/VB30200C/VI30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A; Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n \n;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C_09

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V30200C_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    V30200C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay(威世)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
17048
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫(kù)存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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更多V30200C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 23:00:00

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