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V20120SG-E3分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

V20120SG-E3
廠商型號

V20120SG-E3

參數(shù)屬性

V20120SG-E3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

161.39 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 17:10:00

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V20120SG-E3規(guī)格書詳情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    V20120SG-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    TMBS?

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 工作溫度 - 結:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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