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V12P6HM3_ASLASHI中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V12P6HM3_ASLASHI
廠商型號

V12P6HM3_ASLASHI

功能描述

High Current Density Surface Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 6 A

文件大小

105.37 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 13:25:00

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V12P6HM3_ASLASHI規(guī)格書詳情

? Very low profile - typical height of 1.1 mm

? Ideal for automated placement

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code; base P/NHM3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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