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V10PL45-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Materialcategorizat

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V10PL45-M3

High Current Density Surface Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:fordefi

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V10PL45-M3

High Current Density Surface Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A; Very low profile - typical height of 1.1 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;

分立

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V10PL45-M3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Materialcategorizat

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V10PL45-M3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Materialcategorizat

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V10PL45-M3_V01

High Current Density Surface Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:fordefi

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V10PL45-M3SLASH86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Materialcategorizat

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V10PL45-M3SLASH87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Materialcategorizat

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V10PL45-M3_15

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V10PL45-M3/86A

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A

ETC

ETC

詳細參數(shù)

  • 型號：

    V10PL45-M3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 10A 45V TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

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