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V10P10-E386A中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

V10P10-E386A
廠商型號(hào)

V10P10-E386A

功能描述

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

111.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 16:03:00

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V10P10-E386A規(guī)格書詳情

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A

FEATURES

? Very low profile - typical height of 1.1 mm

? Ideal for automated placement

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward volatge drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

?Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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