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UPD75316BGC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ·Ultra-low-voltageoperationpossible:VDD=2.0to6.0V ?Canbedrivenbytwo1.5-Vmanganesebatteries. ·On-chipmemory ?Programmemory(ROM) :16256′8bits(mPD75316B) :12160′8bits(mPD75312B) ?Datamemory(RAM) :1024′4bits

RENESASRenesas Technology Corp

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更多UPD75316BGC-XXX-3B9供應商 更新時間2025-7-22 10:15:00