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UPD75304BGK	文件：572.03 Kbytes Page：76 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPD75304BGK-XXX-BE9	文件：626.6 Kbytes Page：78 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES ·Ultra-low-voltageoperationpossible:VDD=2.0to6.0V ?Canbedrivenbytwo1.5Vmanganesebatteries. ·On-chipmemory ?Programmemory(ROM):8064′8bit(mPD75308B) :6016′8bit(mPD75306B) :4096′8bit(mPD75304B) ?Datamemory(RAM):512′4bit ·Instructionexe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPD75304	文件：3.26629 Mbytes Page：71 Pages	4-Bit,Single-ChipMicrocontrollersWithLCDController/Driver SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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UPD75304BGC	文件：572.03 Kbytes Page：76 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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