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UPD75116HGC-XXX-AB8

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ·Memorycapacity ROM:24448′8bits(UPD75117H) :16256′8bits(UPD75116H) RAM:768′4bits ·High-speedlowvoltageoperation Minimuminstructionexecutiontime:1.91ms(VDD=1.8V) 0.95ms(VDD=2.7V) ·Operatingvoltagerange:1.8to5.5V(Ta=–40to+60°C) ·I

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