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UPC2726T-E3RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
UPC2726T-E3 |
| 參數(shù)屬性 | UPC2726T-E3 封裝/外殼為SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC AMP CELLULR 1.0GHZ-1.6GHZ T06 |
| 功能描述 | 1.6 GHz DIFFERENTIAL WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
| 封裝外殼 | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 文件大小 |
143.79 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 | NEC |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-5 21:28:00 |
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UPC2726T-E3規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The μPC2726T is a silicon microwave monolithic integrated circuit designed for miniature differenctial amplifier. This IC operates up to 1.6 GHz and therefore is suitable for BS tuner, mobile communication and measurement equipment applications. This IC can also use as differential oscillator application.
The μPC27×× series is manufactured using NEC’s 20 GHz fT NESATTM III silicon bipolar process. This process uses silicon nitride passivation film and gold metallization wirings. These materials can protect the chips from external pollution and prevent corrosion and migration. Thus, this process can produce the ICs with excellent performance, uniformity and reliability.
FEATURES
? Wide frequency respone ? fU= 1.6 GHz @ ?3 dB GP, VCC = 5 V
? Power gain ? GP = 15 dB @ 5 V
? Low power consumption: 5 V, 15 mA TYP./2 V, 2.5 mA
? 6 pin mini mold for high-density surface mounting.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
UPC2726T-E3
- 制造商：
CEL
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 頻率：
1.0GHz ~ 1.6GHz
- 增益：
11dB ~ 17dB
- 噪聲系數(shù)：
4.5dB ~ 6dB
- 射頻類型：
手機(jī)，DBS，PCS
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 電流 - 供電：
8mA ~ 15mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- 供應(yīng)商器件封裝：
T06
- 描述：
IC AMP CELLULR 1.0GHZ-1.6GHZ T06
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
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SOT23-6 |
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